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RH6L040BGTB1  与  BSZ100N06LS3 G  区别

型号 RH6L040BGTB1 BSZ100N06LS3 G
唯样编号 A33-RH6L040BGTB1 A-BSZ100N06LS3 G
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 60V 65A, HSMT8, Power MOSFET 系列:OptiMOS™
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 7.1mΩ@40A,10V 7.7mΩ
上升时间 - 58ns
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 59W 50W
Qg-栅极电荷 - 45nC
栅极电压Vgs ±20V 20V
正向跨导 - 最小值 - 20S
典型关闭延迟时间 - 19ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 HSMT8 -
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C
连续漏极电流Id 65A 20A
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - OptiMOS™
长度 - 3.3mm
下降时间 - 8ns
高度 - 1.10mm
库存与单价
库存 59 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥11.6331
50+ :  ¥6.5448
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RH6L040BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT8

¥11.6331 

阶梯数 价格
20: ¥11.6331
50: ¥6.5448
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